臺灣全民學習平台 FM-半導體元件物理 講師:施敏 影音教學 中文發音 繁體中文版(DVD版)
臺灣全民學習平台FM-半導體元件物理講師:施敏影音教學中文發音繁體中文版(DVD版)內容說明:
隨選隨學！Let'shavefunwiththisMOOC:半導體元件物理!
（本課程隨選隨學，僅提供課程影片，無授課教師與助教參與，也不開放測驗、討論區、與證書等功能。
）
金屬-氧化物-半導體場效電晶體(MOSFET)及非揮發性半導體記憶體(NVSM)是積體電路中最重要的二種元件，也是支撐微電子產業的兩大支柱。
本課程的內容由淺而深循序漸進，從基礎的物理和電容器結構的基本運作，接續討論MOSFET及NVSM之結構與操作，可讓修課的學生一窺半導體最重要元件的奧妙。
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課程目標
透過學習本課程，學生可對以下概念有基本瞭解：
1.半導體物理(SemiconductorPhysics)2.p-n接面的概念(p-nJunction)3.金氧半電容(MOSCapacitor)4.金氧半場效電晶體(MOSFET)5.非揮發性半導體記憶體(Non-VolatileSemiconductorMemory,NVSM)
學生在學習完這門課程之後，能夠繼續閱讀其他半導體相關書目，以及對半導體進行深入研究。

授課教師
你可能不認識施敏，但你生活中所使用的3C、電器或機械都有他的發明－－非揮發性半導體記憶體（non-volatilesemiconductormemory）——因為此發明的誕生，讓電器的電源關閉後，其資訊儲存內容不會消失，使得手機、平板電腦、相機、汽車、GPS等所有電器有了突破性的發展。
施敏教授於國立臺灣大學取得學士學位，隨後分別於華盛頓大學以及史丹佛大學取得電機工程的碩士以及博士學位。施敏教授曾於英國劍橋大學、香港大學與史丹佛大學等學術機構擔任客座教授，目前為國立交通大學榮譽講座教授。
施敏教授曾撰寫或合著了250篇技術論文，以及16本書籍。他的著作「半導體器件的物理學」（Wiley出版社1969年出版，1981年第二版，2007年第三版）是當代工程以及應用科學領域中，被引用最多的文獻之一。施敏教授曾獲得IEEE埃伯斯獎、中山獎、國家主席賦予教授獎，國家科學技術獎。他榮獲IEEE之終身院士（lifefellowofIEEE），同時也是中央研究院院士，外國的中國工程院院士的成員，與工程的美國國家科學院的成員。施敏教授於2023年11月6日與世長辭，享壽87歲。但在課程中，施教授一直與我們同在。課程內容:
00_教材
001_Chapter-0.pdf
002_Chapter-1.pdf
003_MOSFETChapter-2.pdf
004_MOSFETChapter-3.pdf
005_MOSFETChapter-4.pdf
006_MOSFETChapter-5.pdf
007_MOSFETChapter-6.pdf

01_Introduction,EnergyBandsandCarrierConcentrationinThermalEquilibrium
001_0-1課程介紹、電子與半導體產業的演進.mp4
002_0-2半導體元件基本架構與類型、半導體元件與電路技術之發展.mp4
003_0-3元件技術發展走勢.mp4
004_1-1半導體材料與晶體結構.mp4
005_1-2價鍵與能帶.mp4
006_1-3本質載子濃度.mp4
007_1-4施體與受體.mp4
008_專訪一對大三學生的期勉.mp4

02_CurrentTransportPhenomenaEquilibrium
009_2-1載子飄移(drift)-1.mp4
010_2-2載子飄移(drift)-2.mp4
011_2-3載子擴散(diffusion).mp4
012_2-4載子產生與重合(generationandrecombination).mp4
013_2-5連續方程式.mp4
014_2-6熱發射(thermionicemission)與穿隧(tunneling).mp4
015_2-7空間電荷與高電場效應.mp4
016_專訪二不用手機的發明家.mp4

03_P-NJunction
017_3-1基本半導體技術.mp4
018_3-2熱平衡狀態.mp4
019_3-3-1空乏區與空乏電容-1.mp4
020_3-3-2空乏區與空乏電容-2.mp4
021_3-4-1電流-電壓特性-1.mp4
022_3-4-2電流-電壓特性-2.mp4
023_3-5儲存電荷.mp4
024_3-6接面崩潰.mp4

04_MOSCapacitor
025_4-1理想MOS電容器-1.mp4
026_4-2理想MOS電容器-2.mp4
027_4-3SiO2-SiMOS電容器.mp4
028_4-4絕緣層中的載子傳輸與崩潰.mp4
029_專訪三那一年我們一起待的BellLab.mp4

05_MOSFET
030_5-1MOSFET簡介.mp4
031_5-2基本操作特性-1.mp4
032_5-3基本操作特性-2.mp4
033_5-4元件類型與啟始電壓(thresholdvoltage).mp4
034_5-5短通道效應.mp4
035_5-6元件結構與設計.mp4
036_5-7CMOS逆變器及新型MOSFET簡介.mp4
037_5-8MSRAM,DRAM與半導體簡介.mp4
038_專訪四發明NVSM.mp4

06_Non-volatileSemiconductorMemory
039_6-1Non-VolatileSemiconductorMemory(NVSM)簡介.mp4
040_6-2Floatinggateconcept.mp4
041_6-3HistoricaldevelopmentofthefloatinggateNVSM.mp4
042_6-4ApplicationsofNVSM.mp4
043_6-5Scalingchallenges.mp4
044_6-6Alternativedevicestructures.mp4
045_專訪五對未來科技業的預言.mp4
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